磁光 光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级
文献类型：期刊论文
| 作者 | 祁镇; 盛锋锋; 朱亮; 杨建荣; 陈熙仁; 邵军 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 5页码:589-593 |
| 关键词 | CdZnTe单晶 磁光光致发光光谱 应力 轻空穴 |
| DOI | 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.05.013 |
| 英文摘要 | 通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不合Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不合Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程. |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12128]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁镇,盛锋锋,朱亮,等. 磁光 光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级[J]. 红外与毫米波学报,2017(5):589-593. |
| APA | 祁镇,盛锋锋,朱亮,杨建荣,陈熙仁,&邵军.(2017).磁光 光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级.红外与毫米波学报(5),589-593. |
| MLA | 祁镇,et al."磁光 光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级".红外与毫米波学报 .5(2017):589-593. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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