铜含量变化对Cu(In,Ga)Se2薄膜微结构的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 孙雷; 马建华; 姚娘娟; 黄志明; 褚君浩 |
刊名 | 红外与毫米波学报
![]() |
出版日期 | 2017 |
期号 | 1页码:1-5 |
关键词 | CIGS薄膜 铜含量 微结构 拉曼光谱 |
DOI | 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.001 |
英文摘要 | 报道了不同的铜含量(Cu/(Ga+ In)=0.748 ~ 0.982)对Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜微结构的影响.文章中的CIGS薄膜采用磁控溅射金属预置层后硒化的方法制备,其X射线衍射谱(XRD)中一系列黄铜矿结构CIGS (CH-CIGS)相的衍射峰确认了CH-CIGS相的存在.对CIGS薄膜拉曼光谱的分析表明,随着铜含量的上升,CIGS薄膜经历了CH-CIGS和有序缺陷化合物(OVC)混合相、CH-CIGS单相、CH-CIGS和CuxSe混合相三种状态.进一步的分析显示,CIGS薄膜拉曼峰的半高宽随铜含量变化,并在Cu/(Ga+ In) =0.9附近时达到最小值,这说明此时CIGS薄膜具有更好的结晶度和更少的无序性.此外还得到了CIGS薄膜拉曼峰半高宽与铜含量的经验关系公式.这些研究表明拉曼光谱能比XRD更加灵敏地探测CIGS薄膜的微结构,可望作为一种无损和快速测量方法,用于对CIGS薄膜晶相和铜含量的初步估计. |
源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12222] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙雷,马建华,姚娘娟,等. 铜含量变化对Cu(In,Ga)Se2薄膜微结构的影响[J]. 红外与毫米波学报,2017(1):1-5. |
APA | 孙雷,马建华,姚娘娟,黄志明,&褚君浩.(2017).铜含量变化对Cu(In,Ga)Se2薄膜微结构的影响.红外与毫米波学报(1),1-5. |
MLA | 孙雷,et al."铜含量变化对Cu(In,Ga)Se2薄膜微结构的影响".红外与毫米波学报 .1(2017):1-5. |
入库方式: OAI收割
来源:上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。