赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓光; 常勇; 桂永胜; 褚君浩; 曹昕; 曾一平; 孔梅影 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 5 |
| 公开日期 | 2011-11-09 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3071]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_研究生 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓光,常勇,桂永胜,等. 赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究[J]. 红外与毫米波学报,2000(5). |
| APA | 王晓光.,常勇.,桂永胜.,褚君浩.,曹昕.,...&孔梅影.(2000).赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究.红外与毫米波学报(5). |
| MLA | 王晓光,et al."赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究".红外与毫米波学报 .5(2000). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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