一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 1褚君浩 2 窦亚楠 3 何悦 4 王永谦 5 马晓光 |
| 发表日期 | 2013 |
| 专利号 | 201110187549.2 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2013-12-20 |
| 申请日期 | 2011 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7259]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1褚君浩 2 窦亚楠 3 何悦 4 王永谦 5 马晓光. 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法. 201110187549.2. 2013-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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