在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邢启江; 徐万劲; 武作兵
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:7页码:846 |
| 关键词 | WNi/半导体接触 光弹效应 InGaAsP/InP双异质结构 平面型波导器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 从理论上计算了厚度为110nm的W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布，及由应力场分布引起的折射率变化。在W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜应变条半导体中0.2-2μm深度范围内，由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10~(-1)-2.2×10~(-2)(2μm应变条宽)和1.2×10~(-1)-4.1×10~(-2)(4μm应变条宽)。同时，测量了由W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜应变条所形成的InGaAs/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布。从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用。 |
| 学科主题 | 力学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:533034 |
| 公开日期 | 2007-06-15 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/17182]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢启江,徐万劲,武作兵. 在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用[J]. 半导体学报,2001,22(7):846. |
| APA | 邢启江,徐万劲,&武作兵.(2001).在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用.半导体学报,22(7),846. |
| MLA | 邢启江,et al."在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用".半导体学报 22.7(2001):846. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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