采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟飞 ; 邱凯 ; 李新化 ; 尹志军 ; 姬长建 ; 韩奇峰 ; 曹先存 ; 陈家荣 ; 段钺宏 ; 周秀菊 ; 王玉琦 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 8 |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 收录类别 | 其他 |
| 公开日期 | 2009-10-20 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/750]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟飞,邱凯,李新化,等. 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌[J]. 半导体学报,2007(8). |
| APA | 钟飞.,邱凯.,李新化.,尹志军.,姬长建.,...&王玉琦.(2007).采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌.半导体学报(8). |
| MLA | 钟飞,et al."采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌".半导体学报 .8(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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