High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires
文献类型：期刊论文
| 作者 | Guozhong Wang ; Guanghai Li; Hongqiang Wang
|
| 刊名 | chem comm
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 25 |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2010-02-05 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3012]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Guozhong Wang,Guanghai Li,Hongqiang Wang. High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires[J]. chem comm,2009(25). |
| APA | Guozhong Wang,Guanghai Li,&Hongqiang Wang.(2009).High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires.chem comm(25). |
| MLA | Guozhong Wang,et al."High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires".chem comm .25(2009). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。