SiON as a barrier layer for depositing an Al2O3 thin film on Si for gate applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Congmian Zhen ; Gang He ; Xiaoliang Wang ; Yukihiro Shimogaki |
| 刊名 | surface and interface analysis
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 41 |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2010-03-08 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3059]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Congmian Zhen,Gang He,Xiaoliang Wang,et al. SiON as a barrier layer for depositing an Al2O3 thin film on Si for gate applications[J]. surface and interface analysis,2009(41). |
| APA | Congmian Zhen,Gang He,Xiaoliang Wang,&Yukihiro Shimogaki.(2009).SiON as a barrier layer for depositing an Al2O3 thin film on Si for gate applications.surface and interface analysis(41). |
| MLA | Congmian Zhen,et al."SiON as a barrier layer for depositing an Al2O3 thin film on Si for gate applications".surface and interface analysis .41(2009). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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