Electronic Transport Behavior of Bismuth Nanotubes with a Predesigned Wall Thickness
文献类型：期刊论文
| 作者 | Guowen Meng ; Mingguang Kong; Fangming Han
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| 刊名 | j. phys. chem. c
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 112 |
| 合作状况 | 其它 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-07-13 ; 2011-07-12 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3431]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Guowen Meng,Mingguang Kong,Fangming Han. Electronic Transport Behavior of Bismuth Nanotubes with a Predesigned Wall Thickness[J]. j. phys. chem. c,2008(112). |
| APA | Guowen Meng,Mingguang Kong,&Fangming Han.(2008).Electronic Transport Behavior of Bismuth Nanotubes with a Predesigned Wall Thickness.j. phys. chem. c(112). |
| MLA | Guowen Meng,et al."Electronic Transport Behavior of Bismuth Nanotubes with a Predesigned Wall Thickness".j. phys. chem. c .112(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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