Sub-terahertz photoconduction induced by interlayer transition in an InAs/GaSb-based type II and broken-gap quantum well system
文献类型：期刊论文
| 作者 | W Xu; W Xu; W Xu |
| 刊名 | journal of physics: condensed matter
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 19 |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 计算材料物理 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-07-16 ; 2011-07-12 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3646]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | W Xu,W Xu,W Xu. Sub-terahertz photoconduction induced by interlayer transition in an InAs/GaSb-based type II and broken-gap quantum well system[J]. journal of physics: condensed matter,2007(19). |
| APA | W Xu,W Xu,&W Xu.(2007).Sub-terahertz photoconduction induced by interlayer transition in an InAs/GaSb-based type II and broken-gap quantum well system.journal of physics: condensed matter(19). |
| MLA | W Xu,et al."Sub-terahertz photoconduction induced by interlayer transition in an InAs/GaSb-based type II and broken-gap quantum well system".journal of physics: condensed matter .19(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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