Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target
文献类型：期刊论文
| 作者 | M. Liu ; Q. Fang ; G. He ; L.Q. Zhu ; L.D. Zhang |
| 刊名 | applied surface science
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 252 |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2010-07-20 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3682]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M. Liu,Q. Fang,G. He,et al. Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target[J]. applied surface science,2006(252). |
| APA | M. Liu,Q. Fang,G. He,L.Q. Zhu,&L.D. Zhang.(2006).Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target.applied surface science(252). |
| MLA | M. Liu,et al."Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target".applied surface science .252(2006). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。