Characterization of Si-doped GaAs cross-sectional surfaces via ab initio simulations
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiangmei Duan ; Maria Peressi ; Stefano Baroni |
| 刊名 | physical review b
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 72 |
| 合作状况 | 其它 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-08-17 ; 2011-07-12 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3843]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiangmei Duan,Maria Peressi,Stefano Baroni. Characterization of Si-doped GaAs cross-sectional surfaces via ab initio simulations[J]. physical review b,2005(72). |
| APA | Xiangmei Duan,Maria Peressi,&Stefano Baroni.(2005).Characterization of Si-doped GaAs cross-sectional surfaces via ab initio simulations.physical review b(72). |
| MLA | Xiangmei Duan,et al."Characterization of Si-doped GaAs cross-sectional surfaces via ab initio simulations".physical review b .72(2005). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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