纳米二氧化锡/二氧化硅介孔复合体及制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 冯乙巳 ; 张立德 |
| 发表日期 | 2004 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | cn1532230 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院固体物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 公开日期 | 2009-10-20 ; 2009-10-20 |
| 申请日期 | 2003 |
| 专利申请号 | cn03113030 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1091]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯乙巳,张立德. 纳米二氧化锡/二氧化硅介孔复合体及制备方法, 纳米二氧化锡/二氧化硅介孔复合体及制备方法, 纳米二氧化锡/二氧化硅介孔复合体及制备方法, 纳米二氧化锡/二氧化硅介孔复合体及制备方法. cn1532230. 2004-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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