具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 陈家荣 ; 王玉琦 ; 陈文锦 ; 邱凯 ; 李新化 |
| 发表日期 | 2008 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | cn101179098 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院合肥研究院 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 公开日期 | 2009-11-10 ; 2009-11-10 |
| 申请日期 | 2006 |
| 专利申请号 | cn200610097597 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1742]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈家荣,王玉琦,陈文锦,等. 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法, 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法, 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法, 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法. cn101179098. 2008-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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