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具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法

文献类型:专利

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作者陈家荣 ; 王玉琦 ; 陈文锦 ; 邱凯 ; 李新化
发表日期2008
专利国别中国
专利号cn101179098
专利类型发明
权利人中国科学院合肥研究院
是否PCT专利
学科主题纳米材料与技术
公开日期2009-11-10 ; 2009-11-10
申请日期2006
专利申请号cn200610097597
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1742]  
专题合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈家荣,王玉琦,陈文锦,等. 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法, 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法, 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法, 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法. cn101179098. 2008-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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