超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶
文献类型：专利
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| 作者 | 邱凯 ; 韩奇峰 ; 姬长建 ; 曹先存 ; 段铖宏 ; 尹志军 ; 李新化 ; 王玉琦 |
| 发表日期 | 2008 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101311300 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院合肥研究院 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 纳米材料与技术 |
| 公开日期 | 2009-11-10 ; 2009-11-10 |
| 申请日期 | 2007 |
| 专利申请号 | CN200710022718 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1780]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱凯,韩奇峰,姬长建,等. 超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶, 超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶, 超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶, 超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶. CN101311300. 2008-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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