量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆敏 ; 杨志坚 ; 潘尧波 ; 陆羽 ; 陈志忠 ; 张国义 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | S2 |
| 关键词 | 紫光二极管 MOCVD GaN 量子阱结构 |
| 通讯作者 | 陆敏 |
| 合作状况 | 其它 |
| 中文摘要 | 采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片。对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片。 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-01-15 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/118]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆敏,杨志坚,潘尧波,等. 量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响[J]. 稀有金属,2007(S2). |
| APA | 陆敏,杨志坚,潘尧波,陆羽,陈志忠,&张国义.(2007).量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响.稀有金属(S2). |
| MLA | 陆敏,et al."量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响".稀有金属 .S2(2007). |
入库方式： OAI收割
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