Growth of GaN on Buffer Layers with Different Polarities by Hydride Vapor-Phase Epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | KAI QIU ; X.H. LI ; F. ZHONG |
| 刊名 | journal of electronic materials
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 36 |
| 合作状况 | 其它 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-07-12 ; 2011-07-13 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3386]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAI QIU,X.H. LI,F. ZHONG. Growth of GaN on Buffer Layers with Different Polarities by Hydride Vapor-Phase Epitaxy[J]. journal of electronic materials,2007(36). |
| APA | KAI QIU,X.H. LI,&F. ZHONG.(2007).Growth of GaN on Buffer Layers with Different Polarities by Hydride Vapor-Phase Epitaxy.journal of electronic materials(36). |
| MLA | KAI QIU,et al."Growth of GaN on Buffer Layers with Different Polarities by Hydride Vapor-Phase Epitaxy".journal of electronic materials .36(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。