用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺
文献类型：专利
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| 作者 | 胡建生 ; 龚先祖; 万宝年; 赵燕平; 李建刚
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| 发表日期 | 2000-12-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | cn1278018 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 应用超导技术 |
| 公开日期 | 2009-10-15 ; 2009-10-15 |
| 申请日期 | 2000-06-12 |
| 专利申请号 | cn00112333 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/50]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡建生,龚先祖,万宝年,等. 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺, 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺, 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺, 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺. cn1278018. 2000-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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