纳米级tio*加入zno压敏电阻配方中的方法
文献类型：专利
| ; ; ; | |
| 作者 | 冯士芬 ; 季幼章 |
| 发表日期 | 2000-12-06 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | cn1273424 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 新能源材料与工程 |
| 公开日期 | 2009-10-30 ; 2009-10-30 |
| 申请日期 | 1999 |
| 专利申请号 | cn99120639 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1452]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯士芬,季幼章. 纳米级tio*加入zno压敏电阻配方中的方法, 纳米级tio*加入zno压敏电阻配方中的方法, 纳米级tio*加入zno压敏电阻配方中的方法, 纳米级tio*加入zno压敏电阻配方中的方法. cn1273424. 2000-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。