Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping
文献类型：会议论文
| 作者 | Shi MJ ; Zeng XB ; Liu SY ; Peng WB ; Xiao HB ; Liao XB ; Wang ZG ; Kong GL |
| 出版日期 | 2010 |
| 会议名称 | 23rd international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors (icans23) |
| 会议日期 | aug 23-28, 2009 |
| 会议地点 | utrecht, netherlands |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 会议录 | physica status solidi c-current topics in solid state physics vol 7 no 3-4, 7 (3-4): 1109-1111 2010
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| 学科主题 | 半导体材料 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21415]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi MJ,Zeng XB,Liu SY,et al. Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping[C]. 见:23rd international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors (icans23). utrecht, netherlands. aug 23-28, 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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