Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jin P
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| 刊名 | applied surface science
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 257期号:20页码:8718-8721 |
| 关键词 | Photoluminescence Raman scattering Pulsed atomic layer epitaxy AlGaN alloys |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-07-07 ; 2011-07-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21396]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin P. Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy[J]. applied surface science,2011,257(20):8718-8721. |
| APA | Jin P.(2011).Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy.applied surface science,257(20),8718-8721. |
| MLA | Jin P."Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy".applied surface science 257.20(2011):8718-8721. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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