An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yin HB ; Lin DF; Hou QF; Deng QW
|
| 刊名 | journal of physics d-applied physics
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 44期号:26页码:art. no. 265103 |
| 关键词 | FUNDAMENTAL-BAND GAP PHASE-SEPARATION EFFICIENCY INN EMISSION LAYERS MODEL |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-07-07 ; 2011-07-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21402]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yin HB,Lin DF,Hou QF,et al. An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells[J]. journal of physics d-applied physics,2011,44(26):art. no. 265103. |
| APA | Yin HB,Lin DF,Hou QF,&Deng QW.(2011).An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells.journal of physics d-applied physics,44(26),art. no. 265103. |
| MLA | Yin HB,et al."An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells".journal of physics d-applied physics 44.26(2011):art. no. 265103. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。