High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability
文献类型：会议论文
| 作者 | Cao YL (Cao Yu-Lian) ; Xu PF (Xu Peng-fei) ; Ji HM (Ji Hai-Ming) ; Yang T (Yang Tao) ; Chen LH (Chen Liang-Hui) |
| 出版日期 | 2010 |
| 会议名称 | conference on semiconductor lasers and applications iv |
| 会议日期 | oct 18-19, 2010 |
| 会议地点 | beijing, peoples r china |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 会议录 | proceedings of spie-the international society for optical engineering vol.7844: art. no. 784404 2010
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| 学科主题 | 光电子学 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21418]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao YL ,Xu PF ,Ji HM ,et al. High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability[C]. 见:conference on semiconductor lasers and applications iv. beijing, peoples r china. oct 18-19, 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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