Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huang J ; Xu K ; Gong XJ ; Wang JF ; Fan YM ; Liu JQ ; Zeng XH ; Ren GQ ; Zhou TF ; Yang H |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 98期号:22页码:art. no. 221906 |
| 关键词 | BERKOVICH NANOINDENTATION THIN-FILMS INDENTATION MECHANISMS EPILAYERS |
| 合作状况 | 国内 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-07-06 ; 2011-07-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21392]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huang J,Xu K,Gong XJ,et al. Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation[J]. applied physics letters,2011,98(22):art. no. 221906. |
| APA | Huang J.,Xu K.,Gong XJ.,Wang JF.,Fan YM.,...&Yang H.(2011).Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation.applied physics letters,98(22),art. no. 221906. |
| MLA | Huang J,et al."Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation".applied physics letters 98.22(2011):art. no. 221906. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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