Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Su SJ
|
| 刊名 | chinese physics b
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 20期号:6页码:art. no. 068103 |
| 关键词 | GeSn alloys strained strain-relaxed molecular beam epitaxy |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-07-07 ; 2011-07-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21398]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Su SJ. Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates[J]. chinese physics b,2011,20(6):art. no. 068103. |
| APA | Su SJ.(2011).Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates.chinese physics b,20(6),art. no. 068103. |
| MLA | Su SJ."Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates".chinese physics b 20.6(2011):art. no. 068103. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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