铌酸锂晶体体全息光栅的光分插复用器
文献类型：专利
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| 作者 | 刘立人 ; 董前民 ; 刘德安 ; 栾竹 |
| 发表日期 | 2005-05-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL02155048.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种铌酸锂晶体全息光栅的光分插复用器，包括用单块双掺杂LiNbO3晶体和在其中记录的若干个体全息光栅构成的光波分解复用器以及用若干块带电极的单块结构LiNbO3晶体构成的全内反射的电光开关组。给出了波长间隔为0.8nm的光分插复用器的设计。通过控制各电光开关的状态，可以动态选择需要上、下路的波长通道，实现上、下路任意波长信号。本发明具有结构简单、调整方便、运行可靠、抗环境干扰等优点，具有良好的应用前景。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2002-12-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN02155048.4 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/8638]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘立人,董前民,刘德安,等. 铌酸锂晶体体全息光栅的光分插复用器, 铌酸锂晶体体全息光栅的光分插复用器. ZL02155048.4. 2005-05-04. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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