单块铌酸锂晶体构成的光分插复用器
文献类型：专利
| ; | |
| 作者 | 董前民 ; 刘立人 ; 刘德安 ; 祖继锋 |
| 发表日期 | 2005-05-25 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL03128940.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种单块铌酸锂晶体构成的光分插复用器，其特征在于它是在单块双掺杂铌酸锂晶体上集成光波分解复用器和电光开关阵列而构成，所说的光波分解复用器由记录在铌酸锂晶体中的若干局域体全息光栅构成，所说的电光开关阵列由蒸镀在铌酸锂晶体上、下表面的若干电极对构成，它们在晶体表面上等间距排列且分别与对应的体光栅对齐。本发明装置具有结构紧凑、可靠性高、损耗低、批量生产经济、抗环境干扰等优点。特别适于光通讯器件小型化和集成化发展的需要。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-05-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN03128940.1 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/8674]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董前民,刘立人,刘德安,等. 单块铌酸锂晶体构成的光分插复用器, 单块铌酸锂晶体构成的光分插复用器. ZL03128940.1. 2005-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。