离子交换工艺中基片表面的保护方法
文献类型：专利
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| 作者 | 韩秀友 ; 方祖捷 ; 庞拂飞 ; 初凤红 ; 蔡海文 ; 瞿荣辉 |
| 发表日期 | 2008-01-02 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200610023418.X |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种离子交换工艺中基片表面的保护方法，该方法的实质是利用一种含有与基片相同的可交换离子且具有抵抗熔盐侵蚀能力的玻璃材料，采用镀膜的方法淀积在基片的表面上，达到在离子交换过程中防止熔盐侵蚀的作用。本发明离子交换工艺中基片表面的保护方法材料成本低廉、工艺简单易行、效果良好。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2006-01-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200610023418.X |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/8886]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩秀友,方祖捷,庞拂飞,等. 离子交换工艺中基片表面的保护方法, 离子交换工艺中基片表面的保护方法. ZL200610023418.X. 2008-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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