高功率高亮度半导体激光器
文献类型：专利
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| 作者 | 辛国锋 ; 瞿荣辉 ; 程灿 ; 皮浩洋 ; 陈高庭 ; 方祖捷 |
| 发表日期 | 2007-09-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200620045616.1 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本实用新型的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200620045616.1 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/8948]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛国锋,瞿荣辉,程灿,等. 高功率高亮度半导体激光器, 高功率高亮度半导体激光器. ZL200620045616.1. 2007-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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