γ-LiAIO2/α-AI2O3柔性衬底材料及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 徐军 ; 彭观良 ; 周圣明 ; 杨卫桥 |
| 发表日期 | 2005-09-14 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL03141903.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种适合于高质量GaN外延生长的γ-LiAlO2/α-Al2O3柔性衬底材料及其制备方法，该柔性衬底材料是在白宝石α-Al2O3上设有一层四方相的铝酸锂γ-LiAlO2构成。该柔性衬底材料的制备方法是：先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统，在富锂的环境气氛下淀积Li2O薄膜，然后将上步骤中 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-07-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN03141903.8 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9908]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,彭观良,周圣明,等. γ-LiAIO2/α-AI2O3柔性衬底材料及其制备方法, γ-LiAIO2/α-AI2O3柔性衬底材料及其制备方法. ZL03141903.8. 2005-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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