掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 徐军 ; 陈杏达 ; 周国清 ; 钟鹤裕 ; 李红军 |
| 发表日期 | 2003-10-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL01139222.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法，采用射频感应加热提拉法。使用炉体上带有氮气进口阀、氧气进口阀和气体出口阀的中频感应加热提拉炉。在铱坩埚的外表面上喷涂铱粉和氧化锆粉混合粉的保护层。在升温、下种、缩颈、放肩的过程中，炉体内只充入氮气，而且保持在流动状态下。在开始等径生长前，打开氧气进口阀，按氧和氮两种气体的体积百分比混合气体输进炉体内，并保持在流动状态下。在等径生长完成后，关闭氧气进口阀。在收尾过程中仍然保持在流动的氮气气氛下。收尾结束后开始降温，炉体内是保持在真空下直至降到室温。本发明与在先技术相比，铱坩 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2001-12-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN01139222.3 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9932]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,陈杏达,周国清,等. 掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法, 掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法. ZL01139222.3. 2003-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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