掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 徐军 ; 曾雄辉 ; 赵广军 ; 何晓明 ; 李红军 ; 庞辉勇 ; 介明印 ; 李抒智 ; 张连翰 |
| 发表日期 | 2006-04-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL03151082.5 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法，其特点是：在铝酸盐晶体生长的原料配方中掺入三价铈的化合物；在中性气氛下烧结原料；中性气氛下，在中频感应加热单晶炉内用提拉法生长晶体。本发明在很大程度上减少了Ce4+的引入，降低对Ce3+发光的猝灭作用，可提高铝酸盐晶体的闪烁性能5-15％。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-09-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN03151082.5 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9982]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,曾雄辉,赵广军,等. 掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法, 掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法. ZL03151082.5. 2006-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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