硅酸钆闪烁晶体的生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵广军 ; 何晓明 ; 徐军 ; 介明印 ; 曾雄辉 ; 张连翰 ; 周圣明 ; 庞辉勇 ; 周国清 |
| 发表日期 | 2006-11-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310108610.5 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种硅酸钆闪烁晶体的生长方法，主要是用和硅酸钆晶体相近结构的硅酸镥、硅酸钇以及硅酸镥钇晶体，化学通式为(Lu1-xYx)2SiO5(0≤x≤1)做籽晶，通过选择合适的下种温度，一般在2200-1980℃范围内，可以生长不开裂的硅酸钆晶体。本发明解决了籽晶加工时的开裂问题，又很好地解决了晶体生长时从籽晶处开裂或断裂问题，极大地提高了生长硅酸钆闪烁晶体的成品率。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-11-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310108610.5 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9996]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,何晓明,徐军,等. 硅酸钆闪烁晶体的生长方法, 硅酸钆闪烁晶体的生长方法. ZL200310108610.5. 2006-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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