蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 徐军 ; 彭观良 ; 周圣明 ; 周国清 ; 蒋成勇 ; 王海丽 ; 李抒智 ; 赵广军 ; 张俊计 ; 刘军芳 ; 邹军 ; 王银珍 ; 吴锋 ; 庄漪 |
| 发表日期 | 2006-12-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310108613.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ-LiAlO2和Li2O混合料块，料块上部有铂金片，覆盖有γ-LiAlO2和Li2O混合粉料并配备有热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至750-900℃，恒温80-200小时，氧化锂扩散到蓝宝石晶片中，发生固相 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-11-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310108613.9 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9998]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,彭观良,周圣明,等. 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法, 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法. ZL200310108613.9. 2006-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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