硅酸钆单晶体的生长方法
文献类型：专利
| ; | |
| 作者 | 赵广军 ; 徐军 ; 何晓明 ; 介明印 ; 曾雄辉 ; 张连翰 ; 周圣明 ; 庞辉勇 ; 周国清 |
| 发表日期 | 2007-01-17 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310108771.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种硅酸钆单晶体的生长方法，其特征在于该方法的关键是在提拉法生长硅酸钆单晶体的收尾阶段采用如下程序：在GSO晶体生长后期，即晶体等径部分的长度达到预定尺寸后，按5-50℃/h的升温程序进行晶体的升温生长，晶体的直径逐渐变细，待晶体尾部直径达到与籽晶尺寸相同时，恒温生长约5-30mm长度后，再开始采用缓慢的降温程序将GSO晶体降至室温，最后取出GSO晶体。本发明一方面避免了单晶生长结束时快速提拉或手动提拉造成晶体的开裂；另一方面，由于收尾程序使晶体尾部的形状与肩部对称一致，极大地提高了晶体散热的均匀性，减少 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-11-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310108771.4 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10000]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,徐军,何晓明,等. 硅酸钆单晶体的生长方法, 硅酸钆单晶体的生长方法. ZL200310108771.4. 2007-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。