氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵广军 ; 徐军 ; 介明印 ; 庞辉勇 ; 曾雄辉 ; 周圣明 ; 周国清 |
| 发表日期 | 2006-08-16 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310109408.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法，其特征是充分利用PbF2低熔点易挥发升华的特性，采用气相传输平衡技术，在高温、富氟的气氛中，通过调节混合料组分配比、温度和时间，控制F-离子的扩散，制备出分布均匀的F离子掺杂的钨酸铅(PWO)闪烁晶体。本发明可以提高F离子掺杂PWO晶体发光的均匀性，适于大批量生产。本发明的制备方法获得的F离子掺杂的PWO晶体具有较高的光输出，可以满足高能物理以及核医学成像(PET)对闪烁晶体的需求。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-12-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310109408.4 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10002]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,徐军,介明印,等. 氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法, 氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法. ZL200310109408.4. 2006-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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