化学计量比双钨酸盐晶体的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵广军 ; 徐军 ; 介明印 ; 庞辉勇 ; 曾雄辉 ; 周圣明 ; 周国清 |
| 发表日期 | 2006-09-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310109409.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种化学计量比双钨酸盐晶体A(RexMe1-x)(WO4)2的制备方法，主要是利用Na2CO3，K2CO3等低熔点易挥发扩散的特性，采用气相传输平衡，在高温、富碱金属蒸气的气氛中，通过调节混合料组分配比、温度和时间等参数，控制碱金属离子在非化学计量比双钨酸盐晶体中扩散而制备出化学计量比的双钨酸盐晶体。本发明大大减少了晶体中存在的非化 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-12-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310109409.9 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10004]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,徐军,介明印,等. 化学计量比双钨酸盐晶体的制备方法, 化学计量比双钨酸盐晶体的制备方法. ZL200310109409.9. 2006-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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