掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 曾雄辉 ; 徐军 ; 赵广军 ; 李红军 ; 何晓明 ; 庞辉勇 ; 介明印 ; 王静雅 ; 张连翰 ; 杭寅 |
| 发表日期 | 2006-06-14 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310122617.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺铈的钇铝石榴石的生长方法，其特征在于该方法的关键是在生长掺铈钇铝石榴石的原料的配方中，掺入一定量的Sc2O3或Lu2O3，其原料配方的摩尔比为：Al2O3∶Y2O3∶CeO2+A2O3＝5∶3(1-x-y)∶6x∶3y其中0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤ |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-12-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310122617.2 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10006]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾雄辉,徐军,赵广军,等. 掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法, 掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法. ZL200310122617.2. 2006-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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