掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵广军 ; 徐军 ; 庞辉勇 ; 介明印 ; 何晓明 ; 周圣明 |
| 发表日期 | 2007-05-02 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410016474.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法，该荧光屏的结构是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3衬底上生长一层闪烁薄膜Lu1-x-yCeyYxAlO3而构成，其中0≤x≤0.9999，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-z |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-02-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410016474.1 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10010]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,徐军,庞辉勇,等. 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法, 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法. ZL200410016474.1. 2007-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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