掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵广军 ; 严成锋 ; 徐军 ; 夏长泰 ; 介明印 ; 何晓明 ; 张连翰 |
| 发表日期 | 2007-06-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410053438.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺铈焦硅酸镥高温闪烁晶体Lu2(1-x-y-z)Re2xCe2yM2zSi2O7的制备方法，本方法的关键是在配制原料的过程中，引入与CeO2等当量强还原性的Si3N4原料，以及引入痕量的Zr、Ta、或Mg等元素，并在升温化料以及晶体生长过程中将CeO2还原成Ce2 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-08-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410053438.2 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10022]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,严成锋,徐军,等. 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法, 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法. ZL200410053438.2. 2007-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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