掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵广军 ; 严成锋 ; 徐军 ; 庞辉勇 ; 介明印 ; 何晓明 ; 夏长泰 |
| 发表日期 | 2007-12-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410053440.X |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法，其特征在于该成像荧光屏的结构表达式为：(CexReyLu1-x-y)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7，它是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的(Lu1-yRey |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-08-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410053440.X |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10024]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,严成锋,徐军,等. 掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法, 掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法. ZL200410053440.X. 2007-12-26. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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