掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法
文献类型：专利
| ; | |
| 作者 | 赵广军 ; 严成锋 ; 徐军 ; 庞辉勇 ; 介明印 ; 何晓明 ; 夏长泰 |
| 发表日期 | 2007-04-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410053301.7 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法，它是在特定晶面方向的二硅酸镥衬底上采用电阻加热液相外延炉生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏，其结构表述为：(CexMzReyLu1-x-y-z)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7，其 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410053301.7 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10032]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,严成锋,徐军,等. 掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法, 掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法. ZL200410053301.7. 2007-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。