掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 徐军 ; 苏良碧 ; 张连翰 ; 杨卫桥 ; 周国清 ; 董永军 ; 赵志伟 ; 赵广军 |
| 发表日期 | 2007-08-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410053302.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法，该晶体结构表示为AeWO4：Re，F，该晶体的生长方法包括下列步骤：①初始原料的配方；②按选定比例称取的原料，充分混合均匀后压制成块，放入铱或铂金坩埚内，采用相应的AeWO4晶体作籽晶，生长气氛为高纯氩气(Ar)或氮气(N2)，采用熔体法生长晶体生长方法。本发明采用F-离子补偿三价稀土离子掺入碱土金属钨酸盐AeWO4(Ae＝Ca，Sr，Ba)晶体中引起的电荷不平 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410053302.1 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10034]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,苏良碧,张连翰,等. 掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法, 掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法. ZL200410053302.1. 2007-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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