稀土硫代氧化物晶体的生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 苏良碧 ; 徐军 ; 张连翰 ; 杨卫桥 ; 周国清 ; 董永军 ; 赵志伟 ; 赵广军 |
| 发表日期 | 2007-05-02 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410053303.6 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。该方法可以获得厘米量级，高质量的稀土硫代氧化物(Re2O2S)和稀土元素掺杂的稀土硫代氧化物(Re′:Re2O2S)单晶体毛胚。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410053303.6 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10036]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏良碧,徐军,张连翰,等. 稀土硫代氧化物晶体的生长方法, 稀土硫代氧化物晶体的生长方法. ZL200410053303.6. 2007-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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