具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 夏长泰 ; 王银珍 ; 周圣明 ; 张连翰 ; 徐军 |
| 发表日期 | 2007-06-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410066748.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法，其步骤：先合成制备γ-LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射方法在α-Al2O3或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO2单晶薄膜，本发明方法的工艺简单、易操作，此种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-09-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410066748.8 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10042]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏长泰,王银珍,周圣明,等. 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法, 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法. ZL200410066748.8. 2007-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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