双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵志伟 ; 姜本学 ; 徐晓东 ; 宋平新 ; 徐军 ; 王晓丹 |
| 发表日期 | 2007-06-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410084641.6 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法，该晶体的结构式为：Ca3z/2Yb3yGd3(1-yz/2)Ga5-xCrxO12，主要是采用氧化钆、氧化镓、氧化镱、氧化铬为原料按照比例采用固相合成法制备原料，在98％氮气+2％氧气条件下采用提拉法生长自调Q激光晶体。本发明方法制备的双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体，在垂直于晶体生长方向的平面内，离子浓度差小于1％，具有大尺 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410084641.6 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10064]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵志伟,姜本学,徐晓东,等. 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法, 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法. ZL200410084641.6. 2007-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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