砷化镓单晶的生长方法
文献类型：专利
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| 作者 | 周国清 ; 董永军 ; 徐军 ; 钱晓波 ; 李晓清 ; 苏凤莲 |
| 发表日期 | 2006-04-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410093025.7 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理，②晶体生长，③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-12-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410093025.7 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10070]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周国清,董永军,徐军,等. 砷化镓单晶的生长方法, 砷化镓单晶的生长方法. ZL200410093025.7. 2006-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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