用于可调谐激光器和宽带放大器的铋离子掺杂晶体
文献类型:专利
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作者 | 邱建荣 ; 陈杏达 ; 彭明营 ; 陈丹平 ; 姜雄伟 |
发表日期 | 2007-02-07 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | ZL200510023597.2 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
中文摘要 | 一种用于可调谐激光器和宽带放大器的铋离子掺杂晶体,其特征是在含有Ba2+、Sr2+、Ca2+2价离子或Na2+、K+、Cs+1价离子的基体晶体中掺入低价铋离子的晶体,其铋离子含量范围:0.001wt%-3wt%。本发明低价Bi离子掺杂的晶体经测试,在1000~1600nm的光通讯波段产生发光,并且具有长于100μs的荧光寿命,可望用于在光通讯波段的光放大和可调谐激光的输出。 |
公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
申请日期 | 2005-01-26 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200510023597.2 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10072] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱建荣,陈杏达,彭明营,等. 用于可调谐激光器和宽带放大器的铋离子掺杂晶体, 用于可调谐激光器和宽带放大器的铋离子掺杂晶体. ZL200510023597.2. 2007-02-07. |
入库方式: OAI收割
来源:上海光学精密机械研究所
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