掺钛铝酸锂晶片的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 周圣明 ; 邹军 ; 徐军 ; 张连翰 ; 彭观良 |
| 发表日期 | 2007-04-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200510024013.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种用于GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片的制备方法，包括下列步骤：①采用提拉法生长含有四价钛的掺钛铝酸锂晶体，即Ti4+:LiAlO2；②制片：将晶体切片并在富锂的气氛中利用气相传输平衡法进行处理。经测试，该Ti4+:LiAlO2晶片的热稳定性和抗水解性能明显优于纯铝酸锂晶片，是一种质量较高，尺寸较大的适用作GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2005-02-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200510024013.3 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10074]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周圣明,邹军,徐军,等. 掺钛铝酸锂晶片的制备方法, 掺钛铝酸锂晶片的制备方法. ZL200510024013.3. 2007-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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