自组装ZnO阵列的水热法生长方法
文献类型：专利
| ; | |
| 作者 | 李抒智 ; 周圣明 ; 刘红霞 ; 杭寅 |
| 发表日期 | 2008-01-09 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200610025353.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种自组装ZnO纳米阵列的水热法生长方法，其特征是：采用提拉法制膜的方法将溶胶在衬底上制备一层纳米级ZnO薄膜，在水热容器中将衬底生长面悬空朝下放置，再利用水热法在150～200℃下，在所述的衬底上制备ZnO纳米阵列。本发明在利用简单且高效的方法制备出自组装的ZnO阵列，该阵列在制备紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2006-03-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200610025353.2 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10096]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李抒智,周圣明,刘红霞,等. 自组装ZnO阵列的水热法生长方法, 自组装ZnO阵列的水热法生长方法. ZL200610025353.2. 2008-01-09. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。